Y es así como en la actualidad se logró la elaboración del fotodetector más delgado (hasta ahora). Se trata de un dispositivo el cual logra transformar la luz en corriente eléctrica y solo tiene el grosor de 1,3 nanómetros, es decir, es 10 veces más diminuto que los ya conocidos diodos convencionales de silicio. Este nuevo dispositivo se pudiese utilizar en la Internet de las Cosas, es decir, aparatos inteligentes, electrónica acomodable y fotoelectrónica. Se trata de una tecnología bidimensional (hablando atómicamente) y maneja el bisulfito de molibdeno (MoS2), el cual está interpuesta entre las láminas del grafeno.
Se trata de un desarrollo tecnológico y que fue el grupo de Woo Jong Yu, procedentes de la Universidad de California de Los Ángeles en Estados Unidos junto con Quoc An Vu, procedentes del Instituto de Ciencia Básica (IBS) ubicada en Corea del Sur los responsables de su desarrollo.
Como bien se sabe, el grafeno trata sobre un material increíble, ya que puede ser conductor, delgado (solo un átomo de grosor), también es transparente y flexible. No obstante, debido a que no consigue comportarse como un semiconductor, su utilización dentro del ámbito de la electrónica es bastante restringida. Por lo que, para poder aumentar los beneficios del grafeno, los científicos del IBS colocaron una capa de semiconductor bidimensional (especialmente la de un átomo de grosor) de MoS2 entre las dos láminas de grafeno y se puso encima de una base de silicio. Se pensó que en un comienzo el dispositivo resultaría ser muy delgado para poder generar la corriente eléctrica, sin embargo, si se consiguió.
Fue de esa manera como un 65 por ciento de todos los fotones conseguidos por el dispositivo más delgado (hasta ahora) son utilizados para generar una corriente. Por otro lado, esa misma medición (eficiencia cuántica) brinda solo un 7 por ciento para un hecho del MoS2 con siete capas.
Es así como este nuevo dispositivo transparente, flexible y bastante preciso ofrezca menos cantidad de energía que los convencionales semiconductores de silicio tridimensionales (es decir que tienen un grosor más grande que el nuevo). Por lo que, si los futuros estudios tienen el éxito apropiado, esta sería un gran avance para el desarrollo de todos los dispositivos fotoeléctricos bidimensionales de la actualidad.
